کمپانی سامسونگ در روز چهارشنبه هفته جاری از آغاز تولید انبوه تراشه‌های حافظه نسل بعد GDDR7 خبر داد و آقای رایان اسمیت از رسانه AnnandTech موفق به دستیابی به برخی از جزئیات فنی در راستای تراشه‌های جدید شده است. آن‌طور که به نظر می‌رسد، اولین نسخه از حافظه‌های GDDR7 کمپانی سامسونگ برمبنای سیلیکون D1z طراحی و توسعه پیدا کرده است که پیشتر شاهد استفاده از آن در تولید تراشه‌های حافظه 24 گیگابیت بر ثانیه‌ای GDDR6 (سریع‌ترین نسخه از تراشه‌های حافظه GDDR6 در دست توسعه) نیز بوده‌ایم. سیلیکون D1z یکی از اعضای فناوری ساخت 10 نانومتر به شمار می‌رود که از لیتوگرافی EUV در طراحی و توسعه آن کمک گرفته شده است.
آقای اسمیت علاوه بر جزئیات فنی موفق به دستیابی به برخی از مشخصات فنی الکتریکی محصول نیز شده است. اولین نسل از تراشه‌های حافظه GDDR7 نرخ انتقال داده 32 گیگابیت بر ثانیه را در مصرف ولتاژ 1.2 ولت ارائه خواهند داد که این رقم در مقایسه با ولتاژ 1.35 ولتی برخی از تراشه‌های سریع GDDR6 پایین‌تر است. درحالی‌که شاخصه pJpb (پیکو ژول بر هر بیت) در حالت مطلق 7 درصد بالاتر است، اما نسبت به تراشه‌های حافظه 24 گیگابیت بر ثانیه‌ای GDDR6 در حدود 20 درصد کاهش یافته است. به بیان ساده‌تر، حافظه‌های GDDR7 تقریباً 20 درصد از راندمان انرژی بالاتری برخوردار خواهند بود. آقای اسمیت خاطر نشان کرده است که کاهش مصرف انرژی کاملاً به بهینه‌سازی‌های سمت معماری مربوط بوده و هیچ بهسازی در سیلیکون D1z صورت نگرفته است. استاندارد GDDR7 به بهره‌برداری از روش سیگنال‌دهی PAM3 می‌پردازد که در مقایسه با روش‌های سنتی NRZ و PAM4 استانداردهای GDDR6 و GDDR6X (نسخه بدون تأییدیه JEDEC که با همکاری کمپانی‌های انویدیا و میکرون طراحی و توسعه پیدا کرده است) متفاوت است.
منبع: TechPowerUP
