زمانی که کمپانی TSMC از خط نودهای N3 خود رونمایی کرد، تنها صحبت‌هایی را در مورد مراحل توسعه و تولید دو نیمه هادی جدید خود به اشتراک گذاشت. اما به نظر می‌رسد که دلیلی در پشت پرده نهان بوده است، زیرا رسانه WikiChip به‌تازگی تائید کرده است که سلول‌های حافظه SRAM نودهای N3 تقریباً کاملاً مشابه با سلول‌های حافظه فناوری ساخت N5 و نودهای مبنی بر آن می‌باشند. این کمپانی در سمپوزیوم فناوری سال 2023 خود جزئیات تازه‌ای را در مورد این سری از محصولات نیمه هادی، از جمله چگالی حافظه SRAM و واحدهای منطقی را به اشتراک گذاشته است. برای شروع، N3 جدیدترین نسل از فناوری ساخت 3 نانومتری کمپانی TSMC می‌باشد که در قالب دو محصول پایه (Base N3 یا به‌اختصار N3B) و بهسازی شده (Enhanced N3 یا به‌اختصار N3E) توسعه پیدا کرده است. در طراحی لیتوگرافی N3B از رویه جدید اتصال خود تراز (SAC) استفاده شده است که بهبود بازدهی را به دنبال دارد. لازم به ذکر است که کمپانی اینتل این طرح را پیشتر با فناوری ساخت 22 نانومتر خود در سال 2011 ارائه داده بود.
همان‌طور که پیشتر نیز گفته شد، چگالی بیت‌های سلول حافظه SRAM فناوری ساخت N3 تقریباً بسیار مشابه با لیتوگرافی نسل قبل، یعنی N5 می‌باشد. کمپانی TSMC پیشتر ادعای افزایش 1.2 برابر چگالی را برای فناوری ساخت N3B مطرح کرده بود، اما اطلاعات اخیر نمایانگر آن هستند که این رقم تنها مقدار ناچیز 5 درصد می‌باشد. با اشغال فضای بزرگی از ترانزیستور و مساحت پردازنده توسط حافظه مورد بحث، توجیه افزایش هزینه‌های ساخت لیتوگرافی N3B زمانی که تقریباً هیچ فضای فیزیکی برای بهبود در اختیار توسعه‌دهندگان قرار نگیرد سخت‌تر خواهد بود. برای مدت زمانی، افزایش مقیاس حافظه SRAM تابع واحدهای منطقی همچون هسته‌های فیزیکی سی‌پی‌یو نبود، اما به‌نظر می‌رسد که این دو بخش اکنون از یکدیگر جدا شده‌اند.
منبع: TechPowerUP
