در اجلاس بازار حافظه‌های فلش کشور چین (CFMS2023) که در سال جاری میلادی برگزار شده است، کمپانی سامسونگ الکترونیک نیز به همراه شمار دیگری از نام‌های بزرگ این صنعت همچون میکرون، آرم، فیسان، Kioxia و … حضور پیدا کرده است. در این میان سامسونگ موضوعات “انقلاب حافظه‌های فلش و به سوی یک عصر جدید” را با حضار نمایشگاه در میان گذاشته و از اهداف و برنامه‌های خود به‌منظور افزایش قابل توجه ظرفیت حافظه‌های جامد در آینده سخن گفته است. این مباحثه به توانایی‌های کمپانی در تولید حافظه‌های پرظرفیت سطح بالا و همچنین چالش‌های موجود درزمینهٔ دستیابی به گنجایش‌های گسترده در طراحی تراشه‌های 3D NAND به‌عنوان هایلایت‌های جذاب اشاره داشته است.
آقای کیونگریون کیم، نائب رئیس گروه برنامه‌ریزی محصولات NAND با بیان توضیحاتی در مورد سه سطح از فناوری – مقیاس‌گذاری فیزیکی، مقیاس‌گذاری منطقی و تکنولوژی بسته‌بندی – بیان داشته است که کمپانی سامسونگ نه تنها در حال تکامل بوده، بلکه از لحاظ تئوری قادر به دستیابی به ظرفیتی‌هایی در مقیاس پتابایت یا به بیانی دیگر 1024 ترابایت می‌باشد. اما این کمپانی با توجه به استانداردهای تکنولوژیکی حال حاضر تا 10 سال آینده قادر به دستیابی به این دستاورد عظیم نخواهد بود. علاوه بر آن بهره‌برداری از فناوری سلولی چهارگانه برای استفاده در تعداد دستگاه‌های حافظه بیشتر نیز از جمله دیگر اقدامات کمپانی سامسونگ به شمار خواهد رفت.
کمپانی سامسونگ در اجلاس برگزار شده نه تنها در خصوص مسیرهای انقلابی موجود برای دستیابی به ظرفیت‌های پنج سطحی سخن گفته، بلکه نمایشی از حافظه جامد PM1743 خود را نیز در معرض عموم قرار داده است. این اس‌اس‌دی منحصر به فرد برمبنای استاندارد PCIe 5.0 طراحی و توسعه پیدا کرده و در مقایسه با مدل پیشین خود نه تنها با پلتفرم‌های کمپانی‌های اینتل و ای‌ام‌دی سازگار بوده، بلکه افزایش حداکثر 40 درصدی بهره‌وری انرژی را نیز به ارمغان آورده است.
منبع: WCCFTech
