کمپانی سامسونگ وارد رقابت تنگاتنگ و سختی با TSMC درزمینهٔ افزایش سفارش‌های فناوری ساخت 3 نانومتر خود شده است تا زمین نبرد را به‌راحتی از دست نداده و آن را به رقیب سرسخت خود واگذار نکند. پس از تقریباً یک دهه طراحی ویفرهای مبتنی بر ترانزیستورهای FinFET، این کمپانی اعلام کرده است که سرانجام به سمت استفاده از ترانزیستورهای مبتنی بر فناوری GAA-FET در ریخته‌گری نیمه هادی خود روی آورده است. لیتوگرافی جدید کمپانی سامسونگ که SF3 نام گرفته است زمانی در سال جاری میلادی وارد مرحله تولید انبوه خواهد شد. این کمپانی ادعای بازدهی 60 تا 70 درصدی را برای ویفرهای تولیدی بر مبنای لیتوگرافی 3 نانومتر خود نموده است که از اهمیت بالایی برخوردار می‌باشد، زیرا مشتریان معمولاً سفارش‌های خود را با توجه به این اصل نهایی کرده و دیگر موارد نظیر هزینه تولید بر هر ویفر و … را در اولویت‌های بعد قرار می‌دهند.
پس از حواشی شکل گرفته پیرامون مهندسی اعداد مربوط به بازدهی لیتوگرافی‌ها توسط سامسونگ برای جذب هرچه بیشتر مشتریان به سمت خود در سال 2022، این کمپانی در تلاش است تا اعتماد از دسته رفته خود در میان کسب و کارهای مختلف را مجدداً به دست آورد. این کمپانی اظهار داشته است که پس از قبضه نمودن بازار با فناوری‌های ساخت 3 نانومتری SF3 و نسخه بهبود یافته آن تحت عنوان SF3P، در نظر دارد تا به رونمایی از لیتوگرافی 2 نانومتری خود در سال‌های 2025 – 2026 بپردازد. مشتریان کنونی فناوری ساخت 3 نانومتر این کمپانی شامل یک شرکت طراحی پردازشگرهای HPC و یک شرکت طراحی پردازشگرهای موبایل می‌باشد.
منبع: TechPowerUP
